PD 响应度计算器(QE ↔ A/W,光功率 → 光电流)| 工具中心

A · 量子效率 ↔ 响应度

波长 λ (nm) 量子效率 QE (%)

⇄

响应度 R (A/W)

B · 光功率 → 光电流

入射光功率响应度 R (A/W)

—光电流 I

R = QE · λ(nm)1239.84 (A/W) I = R · P QE 取小数;1239.84 = h·c/e 换算常数

InGaAs 响应度示意(典型值);橙点 = 计算器 A 当前点

常见材料典型响应度(典型值)
材料	波长	R 典型	说明
Si	850 nm	~0.5 A/W	短波,截止 ~1.1 µm
InGaAs	1310 nm	~0.9 A/W	通信波段主力
InGaAs	1550 nm	~1.0 A/W	接近量子极限 80%

为什么长波响应度更高

响应度 R 表示每瓦光功率产生的光电流。同样的量子效率下,波长越长 R 越高——因为长波光子能量低,一瓦功率里包含的光子数更多,而每个被吸收的光子只贡献一个电子。这也解释了 R 的上限(量子极限,图中虚线)随波长线性上升,直到带隙截止:光子能量低于材料带隙(InGaAs 约 0.73 eV ↔ 1.7 µm)后无法激发载流子,响应骤降为零。

雪崩管(APD)因内部增益 R 可远大于量子极限,不适用本页公式。选型时除响应度外,还应关注暗电流(决定弱光探测下限)与结电容 / 带宽(决定响应速度)——我们的 MINI-PD 系列出厂报告逐件给出这三项实测值。

PD 响应度计算Photodiode Responsivity

为什么长波响应度更高